창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQD50P04-13L_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SQD50P04-13L | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
PCN 기타 | SIL-016-2014-Rev-2 17/Mar/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 13m옴 @ 17A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 90nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3590pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | TO-252,(D-Pak) | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | SQD50P04-13L-GE3 SQD50P04-13L-GE3-ND SQD50P04-13L_GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SQD50P04-13L_GE3 | |
관련 링크 | SQD50P04, SQD50P04-13L_GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
CC0402CRNPO9BN3R9 | 3.9pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CC0402CRNPO9BN3R9.pdf | ||
416F40612ALR | 40.61MHz ±10ppm 수정 12pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40612ALR.pdf | ||
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CRCW0805200RFKTC | RES SMD 200 OHM 1% 1/8W 0805 | CRCW0805200RFKTC.pdf | ||
ADXL335BCPZ-RL | Accelerometer X, Y, Z Axis ±3g 1.6kHz (X,Y), 550Hz (Z) 16-LFCSP-LQ (4x4) | ADXL335BCPZ-RL.pdf |