Vishay BC Components SQJ200EP-T1_GE3

SQJ200EP-T1_GE3
제조업체 부품 번호
SQJ200EP-T1_GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
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내부 부품 번호EIS-SQJ200EP-T1_GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SQJ200EP
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Vishay Siliconix
계열자동차, AEC-Q101, TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C20A, 60A
Rds On(최대) @ Id, Vgs8.8m옴 @ 16A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs18nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds975pF @ 10V
전력 - 최대27W, 48W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스PowerPAK® SO-8 이중
공급 장치 패키지PowerPAK® SO-8 이중 비대칭
표준 포장 3,000
다른 이름SQJ200EP-T1_GE3TR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SQJ200EP-T1_GE3
관련 링크SQJ200E, SQJ200EP-T1_GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
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