창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQJ412EP-T1_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SQJ412EP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-052-2014-Rev-1 15/Aug/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 10.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5950pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 83W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SQJ412EP-T1-GE3 SQJ412EP-T1-GE3-ND SQJ412EP-T1-GE3TR SQJ412EP-T1-GE3TR-ND SQJ412EP-T1_GE3TR SQJ412EPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SQJ412EP-T1_GE3 | |
관련 링크 | SQJ412E, SQJ412EP-T1_GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | ES3A-E3/57T | DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB | ES3A-E3/57T.pdf | |
![]() | SZMMBZ5245BLT1G | DIODE ZENER 15V 225MW SOT23-3 | SZMMBZ5245BLT1G.pdf | |
![]() | MCR18ERTF6342 | RES SMD 63.4K OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18ERTF6342.pdf | |
![]() | ERJ-S03F2152V | RES SMD 21.5K OHM 1% 1/10W 0603 | ERJ-S03F2152V.pdf | |
![]() | AT0805CRD071K47L | RES SMD 1.47KOHM 0.25% 1/8W 0805 | AT0805CRD071K47L.pdf | |
![]() | RG2012N-7320-D-T5 | RES SMD 732 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-7320-D-T5.pdf | |
![]() | RCL1225620RJNEG | RES SMD 620 OHM 2W 2512 WIDE | RCL1225620RJNEG.pdf | |
![]() | CRCW06032K32FKTB | RES SMD 2.32K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06032K32FKTB.pdf |