창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQM120N03-1M5L_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SQM120N03-1M5L-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-082-2014-Rev-1 22/Sep/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 270nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15605pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SQM120N03-1M5L-GE3 SQM120N03-1M5L-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SQM120N03-1M5L_GE3 | |
관련 링크 | SQM120N03, SQM120N03-1M5L_GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | SIT9003AC-1-25EO | 1MHz ~ 110MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 4.1mA Enable/Disable | SIT9003AC-1-25EO.pdf | |
![]() | MRF176GU | FET RF 2CH 125V 225MHZ 375-04 | MRF176GU.pdf | |
![]() | 511R-3J | 180nH Unshielded Wirewound Inductor 2.285A 43 mOhm Max Axial | 511R-3J.pdf | |
![]() | MCR10ERTJ433 | RES SMD 43K OHM 5% 1/8W 0805 | MCR10ERTJ433.pdf | |
![]() | CRCW06035K11FKEC | RES SMD 5.11K OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06035K11FKEC.pdf | |
![]() | CMF55221K00BHBF | RES 221K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55221K00BHBF.pdf | |
![]() | 91J3R9E | RES 3.9 OHM 1.5W 5% AXIAL | 91J3R9E.pdf | |
![]() | Y094410R0000F9L | RES 10 OHM 10W 1% RADIAL | Y094410R0000F9L.pdf | |
![]() | TRA6927M3PB-001 | ANT BROADBAND LTE 3.5-5.5DBI BK | TRA6927M3PB-001.pdf |