창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQM120N04-1M7L_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SQM120N04-1M7L | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-013-2014-Rev-1 17/Mar/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 120A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 285nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14606pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | TO-263 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SQM120N04-1M7L-GE3 SQM120N04-1M7L-GE3TR SQM120N04-1M7L-GE3TR-ND SQM120N04-1M7L_GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SQM120N04-1M7L_GE3 | |
관련 링크 | SQM120N04, SQM120N04-1M7L_GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | AQ12EM240GAJWE | 24pF 150V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EM240GAJWE.pdf | |
![]() | RS2DHE3_A/I | DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AA | RS2DHE3_A/I.pdf | |
![]() | SS10P3-M3/87A | DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO277A | SS10P3-M3/87A.pdf | |
![]() | RR1220P-5762-D-M | RES SMD 57.6KOHM 0.5% 1/10W 0805 | RR1220P-5762-D-M.pdf | |
![]() | RT0805DRE07220KL | RES SMD 220K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE07220KL.pdf | |
![]() | CR2512-JW-154ELF | RES SMD 150K OHM 5% 1W 2512 | CR2512-JW-154ELF.pdf | |
![]() | CBT25J6R8 | RES 6.80 OHM 1/4W 5% AXIAL | CBT25J6R8.pdf | |
![]() | CPR071K000JF10 | RES 1K OHM 7W 5% RADIAL | CPR071K000JF10.pdf | |
![]() | EVAL-900-PRO | EVAL KIT 900MHZ HUMPRO | EVAL-900-PRO.pdf | |
![]() | 62S22-M0-060C | ENCODER OPT 16POS 6" CABLE | 62S22-M0-060C.pdf |