Vishay BC Components SQM120N04-1M7_GE3

SQM120N04-1M7_GE3
제조업체 부품 번호
SQM120N04-1M7_GE3
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 40V 120A TO263
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내부 부품 번호EIS-SQM120N04-1M7_GE3
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SQM120N04-1M7_GE3
비디오 파일MOSFET Technologies for Power Conversion
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Vishay Siliconix
계열자동차, AEC-Q101, TrenchFET®
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C120A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs1.7m옴 @ 30A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs310nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds17350pF @ 25V
전력 - 최대375W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지TO-263
표준 포장 800
다른 이름SQM120N04-1M7-GE3
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SQM120N04-1M7_GE3
관련 링크SQM120N0, SQM120N04-1M7_GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor
SQM120N04-1M7_GE3 의 관련 제품
0.056µF 6.3V 세라믹 커패시터 X6S 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) GRM033C80J563ME84D.pdf
12MHz ±30ppm 수정 32pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD 445C32H12M00000.pdf
20MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 402F20033CAT.pdf
DIODE SWITCHING 1N4532UR.pdf
MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD IXFH6N100.pdf
22µH Shielded Wirewound Inductor 3A 50 mOhm Max Nonstandard 7447714220.pdf
33µH Shielded Inductor 1.45A 145 mOhm Max Nonstandard CDRH6D38T125NP-330PC.pdf
680µH Shielded Toroidal Inductor 2.1A 147 mOhm Max Radial 2100LL-681-V-RC.pdf
RES 5.36M OHM 0.6W 1% AXIAL MBB02070C5364FRP00.pdf
RES 47 OHM 5% AXIAL CW00147R00JS70.pdf
RES 28.7 OHM 1/4W 0.5% AXIAL H828R7DCA.pdf
SAFETY LIGHT CURTAIN MSF4800S-20-1280-20-0320-020XI.pdf