창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQM200N04-1M7L_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SQM200N04-1M7L-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-006-2015-Rev-1 03/Mar/2015 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.7m옴 @ 30A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 291nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11168pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭) | |
공급 장치 패키지 | TO-263-7 | |
표준 포장 | 800 | |
다른 이름 | SQM200N04-1M7L-GE3 SQM200N04-1M7L-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SQM200N04-1M7L_GE3 | |
관련 링크 | SQM200N04, SQM200N04-1M7L_GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | TNPU1206169KBZEN00 | RES SMD 169K OHM 0.1% 1/4W 1206 | TNPU1206169KBZEN00.pdf | |
![]() | CRCW06031M00FKEB | RES SMD 1M OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06031M00FKEB.pdf | |
![]() | EXB-N8V242JX | RES ARRAY 4 RES 2.4K OHM 0804 | EXB-N8V242JX.pdf | |
![]() | RAVF324DJT200K | RES ARRAY 4 RES 200K OHM 2012 | RAVF324DJT200K.pdf | |
![]() | H811KBYA | RES 11.0K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H811KBYA.pdf | |
![]() | R5J50RE | RES 50 OHM 5W 5% RADIAL | R5J50RE.pdf |