창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQS420EN-T1_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SQS420EN-T1-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-052-2014-Rev-1 15/Aug/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 28m옴 @ 5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 490pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 18W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SQS420EN-T1-GE3 SQS420EN-T1-GE3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SQS420EN-T1_GE3 | |
관련 링크 | SQS420E, SQS420EN-T1_GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 95-21UBC/C430/TR10 | Blue 466nm LED Indication - Discrete 3.8V 2-SMD, Z-Bend | 95-21UBC/C430/TR10.pdf | |
![]() | ELT-5KT680LA | 68µH Unshielded Wirewound Inductor 260mA 2.6 Ohm Nonstandard | ELT-5KT680LA.pdf | |
![]() | ASPI-0503H-3R3M-T | 3.3µH Unshielded Wirewound Inductor 2.8A 50 mOhm Max Nonstandard | ASPI-0503H-3R3M-T.pdf | |
![]() | RT0201FRE0768KL | RES SMD 68K OHM 1% 1/20W 0201 | RT0201FRE0768KL.pdf | |
![]() | PHP00805E98R8BST1 | RES SMD 98.8 OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E98R8BST1.pdf | |
![]() | TNPU060323K2AZEN00 | RES SMD 23.2K OHM 1/10W 0603 | TNPU060323K2AZEN00.pdf | |
![]() | RCS080526K1FKEA | RES SMD 26.1K OHM 1% 0.4W 0805 | RCS080526K1FKEA.pdf | |
![]() | Y0062107R800T0L | RES 107.8 OHM 0.6W 0.01% RADIAL | Y0062107R800T0L.pdf | |
![]() | 26PCCFS1G | Pressure Sensor ±15 PSI (±103.42 kPa) Compound 0 mV ~ 100 mV (10V) 4-SIP Module | 26PCCFS1G.pdf |