창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SQS460EN-T1_GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SQS460EN-T1-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | SIL-054-2014-Rev-2 22/Sep/2014 | |
PCN 부품 번호 | New Ordering Code 19/Mar/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 36m옴 @ 5.3A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 755pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 39W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SQS460EN-T1-GE3 SQS460EN-T1-GE3-ND SQS460EN-T1_GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SQS460EN-T1_GE3 | |
관련 링크 | SQS460E, SQS460EN-T1_GE3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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1812HC102MATME | 1000pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812HC102MATME.pdf | ||
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445W33K20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 8pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W33K20M00000.pdf | ||
402F38433CLR | 38.4MHz ±30ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F38433CLR.pdf | ||
IRFP450APBF | MOSFET N-CH 500V 14A TO-247AC | IRFP450APBF.pdf | ||
AISC-0603-R0051J-T | 5.1nH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 130 mOhm Max Nonstandard | AISC-0603-R0051J-T.pdf | ||
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80FR511 | RES 0.511 OHM 10W 1% AXIAL | 80FR511.pdf |