창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SR212A390JARTR1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SR Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | AVX Corporation | |
계열 | SkyCap® SR | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 39pF | |
허용 오차 | ±5% | |
전압 - 정격 | 200V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 스루홀 | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 방사 | |
크기/치수 | 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.300"(7.62mm) | |
두께(최대) | - | |
리드 간격 | 0.200"(5.08mm) | |
특징 | - | |
리드 유형 | 성형 리드 - 곡선형 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SR212A390JARTR1 | |
관련 링크 | SR212A3, SR212A390JARTR1 Datasheet, AVX Corporation Distributor |
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![]() | NSB8DTHE3_A/P | DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB | NSB8DTHE3_A/P.pdf | |
![]() | MM3Z3V9C | DIODE ZENER 3.9V 200MW SOD323F | MM3Z3V9C.pdf | |
![]() | SPA07N65C3XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 | SPA07N65C3XKSA1.pdf | |
DRA125-101-R | 100µH Shielded Wirewound Inductor 1.745A 178 mOhm Nonstandard | DRA125-101-R.pdf | ||
![]() | 4922-45L | 4.7mH Unshielded Wirewound Inductor 103mA 37 Ohm Max Nonstandard | 4922-45L.pdf | |
![]() | 4554R-561K | 560µH Unshielded Inductor 410mA 1.4 Ohm Max Radial | 4554R-561K.pdf | |
![]() | RMCF0805FT3K65 | RES SMD 3.65K OHM 1% 1/8W 0805 | RMCF0805FT3K65.pdf | |
![]() | RT0603DRD0727R4L | RES SMD 27.4 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD0727R4L.pdf | |
![]() | AC1210FR-07576RL | RES SMD 576 OHM 1% 1/2W 1210 | AC1210FR-07576RL.pdf |