Vishay BC Components SS36-E3/9AT
- 제조업체 부품 번호
- SS36-E3/9AT
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- 다이오드, 정류기 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SS36-E3/9AT 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 203.57143
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SS36-E3/9AT, we specialize in all series Vishay BC Components electronic components. SS36-E3/9AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SS36-E3/9AT, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SS36-E3/9AT 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SS36-E3/9AT 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SS36-E3/9AT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SS32 thru SS36 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 60V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 3A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 750mV @ 3A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 500µA @ 60V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AB, SMC | |
| 공급 장치 패키지 | DO-214AB,(SMC) | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 150°C | |
| 표준 포장 | 3,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SS36-E3/9AT | |
| 관련 링크 | SS36-, SS36-E3/9AT Datasheet, Vishay BC Components Distributor | |
SS36-E3/9AT 의 관련 제품
 | UBT1E221MPD1TD | 220µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 125°C | UBT1E221MPD1TD.pdf | |
 | B43504B2337M62 | 330µF 250V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 390 mOhm @ 100Hz 3000 Hrs @ 105°C | B43504B2337M62.pdf | |
 | VJ0603D360JXXAC | 36pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D360JXXAC.pdf | |
 | VJ1812A750JBRAT4X | 75pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A750JBRAT4X.pdf | |
 | SMAJ13E3/TR13 | TVS DIODE 13VWM 23.8VC SMAJ | SMAJ13E3/TR13.pdf | |
 | MA-506 33.0000M-C0 | 33MHz ±50ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-506 33.0000M-C0.pdf | |
| TS640T23IET | 64MHz ±20ppm 수정 20pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS640T23IET.pdf | |
 | MLG1005S0N3CTD25 | 0.3nH Unshielded Multilayer Inductor 1A 100 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005S0N3CTD25.pdf | |
 | LK16081R2M-T | 1.2µH Shielded Multilayer Inductor 40mA 650 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LK16081R2M-T.pdf | |
 | MCF-25JR-100R | RES SMD 100 OHM 5% 1/4W MELF | MCF-25JR-100R.pdf | |
-TNP-SERIES.jpg) | TNPW0805649KBETA | RES SMD 649K OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW0805649KBETA.pdf | |
 | CMF55237R00BHBF | RES 237 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | CMF55237R00BHBF.pdf |
