창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM3J114TU(T5L,T) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SSM3J114TU Mosfets Prod Guide | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 149m옴 @ 600mA, 4V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.7nC(4V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 331pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | UFM | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SSM3J114TU(T5LT)CT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SSM3J114TU(T5L,T) | |
관련 링크 | SSM3J114, SSM3J114TU(T5L,T) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | 160-124GS | 120µH Unshielded Inductor 85mA 17 Ohm Max 2-SMD | 160-124GS.pdf | |
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![]() | ERJ-S1TJ101U | RES SMD 100 OHM 5% 1W 2512 | ERJ-S1TJ101U.pdf | |
![]() | CPF1206B40K2E1 | RES SMD 40.2K OHM 0.1% 1/8W 1206 | CPF1206B40K2E1.pdf | |
![]() | RVC2512JT330K | RES SMD 330K OHM 5% 1W 2512 | RVC2512JT330K.pdf | |
![]() | HRG3216P-1960-B-T5 | RES SMD 196 OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-1960-B-T5.pdf | |
![]() | CPCC106R800JE66 | RES 6.8 OHM 10W 5% RADIAL | CPCC106R800JE66.pdf | |
![]() | P51-200-S-AA-P-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-S-AA-P-4.5OVP-000-000.pdf |