Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J114TU(T5L,T)

SSM3J114TU(T5L,T)
제조업체 부품 번호
SSM3J114TU(T5L,T)
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
Datesheet 다운로드
다운로드
SSM3J114TU(T5L,T) 가격 및 조달

가능 수량

6530 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 195.28600
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of SSM3J114TU(T5L,T), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. SSM3J114TU(T5L,T) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3J114TU(T5L,T), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
SSM3J114TU(T5L,T) 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
SSM3J114TU(T5L,T) 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SSM3J114TU(T5L,T)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SSM3J114TU
Mosfets Prod Guide
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장컷 테이프(CT)
부품 현황단종
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C1.8A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs149m옴 @ 600mA, 4V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs7.7nC(4V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds331pF @ 10V
전력 - 최대500mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스3-SMD, 플랫 리드(Lead)
공급 장치 패키지UFM
표준 포장 1
다른 이름SSM3J114TU(T5LT)CT
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)SSM3J114TU(T5L,T)
관련 링크SSM3J114, SSM3J114TU(T5L,T) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
SSM3J114TU(T5L,T) 의 관련 제품
1500µF 350V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 2000 Hrs @ 85°C LNY2V152MSEF.pdf
15µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 8.85 Ohm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C MALREKA00AA215J00K.pdf
6800pF 500V 세라믹 커패시터 Z5U 방사형, 디스크 0.394" Dia(10.00mm) D682M39Z5UL6TJ5R.pdf
68pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) VJ0805D680MXBAJ.pdf
0.13µF Film Capacitor 100V 160V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) BFC247934134.pdf
24MHz ±50ppm 수정 16pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) MA-406 24.0000M-B3: ROHS.pdf
1mH Shielded Wirewound Inductor 240mA 6 Ohm Max Nonstandard 7687779102.pdf
RES SMD 220 OHM 5% 1/10W 0603 KTR03EZPJ221.pdf
RES SMD 7.5K OHM 5% 1/2W 1210 AF1210JR-077K5L.pdf
RES NETWORK 2 RES MULT OHM 1610 Y4485V0588BT9L.pdf
RES 232K OHM 1/2W 0.1% AXIAL CMF55232K00BHRE.pdf
RES 91 OHM 1W 5% AXIAL OM9105E-R58.pdf