Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J114TU(TE85L)
- 제조업체 부품 번호
- SSM3J114TU(TE85L)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SSM3J114TU(TE85L) 가격 및 조달
가능 수량
1819 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 259.60800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SSM3J114TU(TE85L), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. SSM3J114TU(TE85L) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3J114TU(TE85L), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SSM3J114TU(TE85L) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SSM3J114TU(TE85L) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM3J114TU(TE85L) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SSM3J114TU Mosfets Prod Guide | |
| 제품 교육 모듈 | Small Signal MOSFET | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.8A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 149m옴 @ 600mA, 4V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.7nC(4V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 331pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-SMD, 플랫 리드(Lead) | |
| 공급 장치 패키지 | UFM | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | SSM3J114TU(TE85L)CT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SSM3J114TU(TE85L) | |
| 관련 링크 | SSM3J114, SSM3J114TU(TE85L) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
SSM3J114TU(TE85L) 의 관련 제품
 | 860040775010 | 220µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 7000 Hrs @ 105°C | 860040775010.pdf | |
-.7.jpg) | CGA5F2X8R1E474K | 0.47µF 25V 세라믹 커패시터 X8R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CGA5F2X8R1E474K.pdf | |
 | GRM31MR71E105KA01K | 1µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GRM31MR71E105KA01K.pdf | |
 | VJ0603D301FXXAR | 300pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D301FXXAR.pdf | |
 | VJ0402D120FXAAC | 12pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D120FXAAC.pdf | |
 | C907U409CZNDCAWL45 | 4pF 440VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C907U409CZNDCAWL45.pdf | |
 | KR-5R5H104-R-T | 100mF Supercap 5.5V Axial, Can - Horizontal 75 Ohm @ 1kHz 1000 Hrs @ 70°C 0.453" Dia (11.50mm) | KR-5R5H104-R-T.pdf | |
 | 416F27125AST | 27.12MHz ±20ppm 수정 시리즈 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27125AST.pdf | |
 | IMC1812BN100J | 10µH Unshielded Wirewound Inductor 250mA 1.6 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812BN100J.pdf | |
.jpg) | AR0603FR-074K75L | RES SMD 4.75K OHM 1% 1/10W 0603 | AR0603FR-074K75L.pdf | |
.jpg) | RCS0805221RFKEA | RES SMD 221 OHM 1% 0.4W 0805 | RCS0805221RFKEA.pdf | |
 | CMF604R7500FKEK | RES 4.75 OHM 1W 1% AXIAL | CMF604R7500FKEK.pdf |
