Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J306T(TE85L,F)
- 제조업체 부품 번호
- SSM3J306T(TE85L,F)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SSM3J306T(TE85L,F) 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 75.67560
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SSM3J306T(TE85L,F), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. SSM3J306T(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3J306T(TE85L,F), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SSM3J306T(TE85L,F) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SSM3J306T(TE85L,F) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM3J306T(TE85L,F) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SSM3J306T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.4A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 117m옴 @ 1A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.5nC(15V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 280pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TSM | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SSM3J306T (TE85L,F) SSM3J306T(TE85LF)TR SSM3J306TTE85LF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SSM3J306T(TE85L,F) | |
| 관련 링크 | SSM3J306T, SSM3J306T(TE85L,F) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
SSM3J306T(TE85L,F) 의 관련 제품
 | VJ0805D820MXXAJ | 82pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D820MXXAJ.pdf | |
 | CD42FC683JO3F | 0.068µF Mica Capacitor 300V Radial 1.480" L x 0.469" W (37.60mm x 11.90mm) | CD42FC683JO3F.pdf | |
| 4P184F35IET | 18.432MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P184F35IET.pdf | |
 | VS-HFA08TB60STRLP | DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK | VS-HFA08TB60STRLP.pdf | |
 | 1N4736APE3/TR8 | DIODE ZENER 6.8V 1W DO204AL | 1N4736APE3/TR8.pdf | |
 | PHN210T,118 | MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC | PHN210T,118.pdf | |
 | RPC0805JT2R70 | RES SMD 2.7 OHM 5% 1/4W 0805 | RPC0805JT2R70.pdf | |
 | TRR01MZPJ275 | RES SMD 2.7M OHM 5% 1/16W 0402 | TRR01MZPJ275.pdf | |
 | LTR50UZPJ153 | RES SMD 15K OHM 1W 2010 WIDE | LTR50UZPJ153.pdf | |
 | HRG3216P-2261-D-T5 | RES SMD 2.26K OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-2261-D-T5.pdf | |
| 93J3R9E | RES 3.9 OHM 3.25W 5% AXIAL | 93J3R9E.pdf | |
 | A1324LLHLX-T | IC HALL EFFECT SENSOR SOT23W | A1324LLHLX-T.pdf |
