Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J307T(TE85L,F)
- 제조업체 부품 번호
- SSM3J307T(TE85L,F)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET P-CH 20V 5A TSM
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SSM3J307T(TE85L,F) 가격 및 조달
가능 수량
1372 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 381.78000
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SSM3J307T(TE85L,F), we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. SSM3J307T(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3J307T(TE85L,F), Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SSM3J307T(TE85L,F) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SSM3J307T(TE85L,F) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM3J307T(TE85L,F) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SSM3J307T Mosfets Prod Guide | |
| 제품 교육 모듈 | Small Signal MOSFET | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 31m옴 @ 4A, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1170pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TSM | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | SSM3J307T(TE85LF)CT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SSM3J307T(TE85L,F) | |
| 관련 링크 | SSM3J307T, SSM3J307T(TE85L,F) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
SSM3J307T(TE85L,F) 의 관련 제품
 | EEU-ED2C331 | 330µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | EEU-ED2C331.pdf | |
 | K560J10C0GH5TH5 | 56pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) | K560J10C0GH5TH5.pdf | |
 | ECS-320-8-37CKM | 32MHz ±10ppm 수정 8pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-320-8-37CKM.pdf | |
 | ASTMHTFL-10.000MHZ-ZC-E-T | 10MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTFL-10.000MHZ-ZC-E-T.pdf | |
 | SQ1431EH-T1_GE3 | MOSFET P-CH 30V 3A SC70 | SQ1431EH-T1_GE3.pdf | |
 | CTLDM3590 TR | MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8 | CTLDM3590 TR.pdf | |
 | LQW15AN4N1C80D | 4.1nH Unshielded Wirewound Inductor 1.8A 44 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | LQW15AN4N1C80D.pdf | |
 | 2100LL-390-V-RC | 39µH Shielded Toroidal Inductor 6.6A 15 mOhm Max Radial | 2100LL-390-V-RC.pdf | |
 | H12WD4850KG | RELAY SSR 660VAC/50A DC | H12WD4850KG.pdf | |
 | CRCW040234K0FKED | RES SMD 34K OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW040234K0FKED.pdf | |
.jpg) | SR0805MR-7W82RL | RES SMD 82 OHM 20% 1/4W 0805 | SR0805MR-7W82RL.pdf | |
 | CRCW120676R8FKEAHP | RES SMD 76.8 OHM 1% 1/2W 1206 | CRCW120676R8FKEAHP.pdf |
