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Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV,L3F

SSM3J35MFV,L3F
제조업체 부품 번호
SSM3J35MFV,L3F
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
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SSM3J35MFV,L3F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SSM3J35MFV,L3F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SSM3J35MFV
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장컷 테이프(CT)
부품 현황판매 중단
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.2V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs8옴 @ 50mA, 4V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds12.2pF @ 3V
전력 - 최대150mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-723
공급 장치 패키지VESM
표준 포장 1
다른 이름SSM3J35MFV(TL3T)CT
SSM3J35MFV(TL3T)CT-ND
SSM3J35MFVL3FCT
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SSM3J35MFV,L3F
관련 링크SSM3J35, SSM3J35MFV,L3F Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
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