창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM3J46CTB(TPL3) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SSM3J46CTB Mosfets Prod Guide | |
제품 교육 모듈 | Small Signal MOSFET | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 103m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 4.7nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 290pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 3-SMD, 무연 | |
공급 장치 패키지 | CST3B | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | SSM3J46CTB (TPL3) SSM3J46CTB(TPL3)TR SSM3J46CTBTPL3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SSM3J46CTB(TPL3) | |
관련 링크 | SSM3J46C, SSM3J46CTB(TPL3) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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PC10-270 | 10F Supercap 2.5V Radial, Can, Horizontal 180 mOhm 3000 Hrs @ 70°C 1.413" L x 0.929" W (35.90mm x 23.60mm) | PC10-270.pdf | ||
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![]() | G5LE-14-36 DC12 | General Purpose Relay SPDT (1 Form C) 12VDC Coil Through Hole | G5LE-14-36 DC12.pdf | |
![]() | MCW0406MD1371BP100 | RES SMD 1.37K OHM 1/4W 0604 WIDE | MCW0406MD1371BP100.pdf | |
![]() | PHP00603E50R5BBT1 | RES SMD 50.5 OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E50R5BBT1.pdf | |
![]() | CRCW12064K99FHEAP | RES SMD 4.99K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12064K99FHEAP.pdf | |
![]() | CMF603K0000FKEA | RES 3K OHM 1W 1% AXIAL | CMF603K0000FKEA.pdf |