Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J56MFV,L3F

SSM3J56MFV,L3F
제조업체 부품 번호
SSM3J56MFV,L3F
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM
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SSM3J56MFV,L3F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SSM3J56MFV,L3F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SSM3J56MFV
제품 교육 모듈General Purpose Discrete Items
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.2V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C800mA(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs390m옴 @ 800mA, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds100pF @ 10V
전력 - 최대150mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-723
공급 장치 패키지VESM
표준 포장 8,000
다른 이름SSM3J56MFV,L3F(B
SSM3J56MFV,L3F(T
SSM3J56MFVL3F(TTR
SSM3J56MFVL3F(TTR-ND
SSM3J56MFVL3FT
SSM3J56MFVL3FTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SSM3J56MFV,L3F
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