Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56MFV,L3F
- 제조업체 부품 번호
- SSM3K56MFV,L3F
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SSM3K56MFV,L3F 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 63.25863
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SSM3K56MFV,L3F, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. SSM3K56MFV,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3K56MFV,L3F, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SSM3K56MFV,L3F 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SSM3K56MFV,L3F 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM3K56MFV,L3F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SSM3K56MFV | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 800mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 235m옴 @ 800mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 55pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-723 | |
| 공급 장치 패키지 | VESM | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 다른 이름 | SSM3K56MFV,L3F(B SSM3K56MFV,L3F(T SSM3K56MFVL3FTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SSM3K56MFV,L3F | |
| 관련 링크 | SSM3K56, SSM3K56MFV,L3F Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
SSM3K56MFV,L3F 의 관련 제품
 | B41002A8105M | 1µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 85°C | B41002A8105M.pdf | |
 | VJ0402D0R3CXAAP | 0.30pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R3CXAAP.pdf | |
-2.jpg) | 1808AA152KAT1A | 1500pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808AA152KAT1A.pdf | |
| BFC246867563 | 0.056µF Film Capacitor 250V 630V Polyester, Metallized Radial 0.689" L x 0.232" W (17.50mm x 5.90mm) | BFC246867563.pdf | |
| 5KP7.0E3/TR13 | TVS DIODE 7VWM 13.3VC P600 | 5KP7.0E3/TR13.pdf | |
| SIT8008BI-22-33S-22.579200D | OSC XO 3.3V 22.5792MHZ | SIT8008BI-22-33S-22.579200D.pdf | |
 | S1210R-562K | 5.6µH Shielded Inductor 352mA 1.3 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | S1210R-562K.pdf | |
.jpg) | B82422T1122K8 | 1.2µH Unshielded Wirewound Inductor 390mA 700 mOhm Max 2-SMD | B82422T1122K8.pdf | |
.jpg) | RLP73N3AR062FTDF | RES SMD 0.062 OHM 1% 2W 2512 | RLP73N3AR062FTDF.pdf | |
.jpg) | RT1206BRE0747KL | RES SMD 47K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRE0747KL.pdf | |
 | MCT06030D2491BP100 | RES SMD 2.49KOHM 0.1% 1/10W 0603 | MCT06030D2491BP100.pdf | |
| E2E-X5ME2-M1 | Inductive Proximity Sensor 0.197" (5mm) IP67 Cylinder, Threaded - M12 | E2E-X5ME2-M1.pdf |
