Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K59CTB,L3F
- 제조업체 부품 번호
- SSM3K59CTB,L3F
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 2A CST3B
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
SSM3K59CTB,L3F 가격 및 조달
가능 수량
11150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 104.85858
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of SSM3K59CTB,L3F, we specialize in all series Toshiba Semiconductor and Storage electronic components. SSM3K59CTB,L3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3K59CTB,L3F, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- SSM3K59CTB,L3F 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SSM3K59CTB,L3F 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM3K59CTB,L3F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SSM3K59CTB | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.8V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 215m옴 @ 1A, 8V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.1nC(4.2V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 130pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-SMD, 무연 | |
| 공급 장치 패키지 | CST3B | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | SSM3K59CTB,L3F(A SSM3K59CTBL3FTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SSM3K59CTB,L3F | |
| 관련 링크 | SSM3K59, SSM3K59CTB,L3F Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
SSM3K59CTB,L3F 의 관련 제품
 | UVZ2G010MPD1TA | 1µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UVZ2G010MPD1TA.pdf | |
-Taiyo-Yuden-.jpg) | UMK212BJ105KG-T | 1µF 50V 세라믹 커패시터 X5R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | UMK212BJ105KG-T.pdf | |
 | C1812V333KDRAC7800 | 0.033µF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | C1812V333KDRAC7800.pdf | |
| CDV30EF620GO3 | MICA | CDV30EF620GO3.pdf | |
 | MXO45HST-3C-16M0000 | 16MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Through Hole 5V 26mA Enable/Disable | MXO45HST-3C-16M0000.pdf | |
 | ASTMHTD-8.000MHZ-AR-E-T3 | 8MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTD-8.000MHZ-AR-E-T3.pdf | |
| CLA60PD1200NA | MOD THYRISTOR DUAL 1200V SOT-227 | CLA60PD1200NA.pdf | |
| LHL10TB4R7M | 4.7µH Unshielded Inductor 4A 24 mOhm Max Radial | LHL10TB4R7M.pdf | |
 | HS15 5R F | RES CHAS MNT 5 OHM 1% 15W | HS15 5R F.pdf | |
 | MCR18ERTF2213 | RES SMD 221K OHM 1% 1/4W 1206 | MCR18ERTF2213.pdf | |
.jpg) | RT1206WRD0726K1L | RES SMD 26.1KOHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRD0726K1L.pdf | |
.jpg) | TNPW201030K1BEEY | RES SMD 30.1K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201030K1BEEY.pdf |
