Toshiba Semiconductor and Storage SSM5G10TU(TE85L,F)
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- SSM5G10TU(TE85L,F)
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- Toshiba Semiconductor and Storage
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- FET - 단일
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- MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV
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SSM5G10TU(TE85L,F) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM5G10TU(TE85L,F) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SSM5G10TU Mosfets Prod Guide | |
| 제품 교육 모듈 | Small Signal MOSFET | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 다이오드(절연), 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 213m옴 @ 1A, 4V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.4nC(4V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD(5리드), 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | UFV | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SSM5G10TU(TE85LF)TR SSM5G10TUTE85LF | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SSM5G10TU(TE85L,F) | |
| 관련 링크 | SSM5G10TU, SSM5G10TU(TE85L,F) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
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