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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J501NU,LF

SSM6J501NU,LF
제조업체 부품 번호
SSM6J501NU,LF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
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SSM6J501NU,LF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SSM6J501NU,LF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SSM6J501NU
주요제품Low RDS(ON) P-Channel MOSFET
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)20V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C10A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs15.3m옴 @ 4A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs29.9nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2600pF @ 10V
전력 - 최대1W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-WDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지6-UDFNB(2x2)
표준 포장 3,000
다른 이름SSM6J501NU,LF(A
SSM6J501NU,LF(B
SSM6J501NU,LF(T
SSM6J501NULF
SSM6J501NULF(TTR
SSM6J501NULF(TTR-ND
SSM6J501NULFTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SSM6J501NU,LF
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