Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K781G,LF

SSM6K781G,LF
제조업체 부품 번호
SSM6K781G,LF
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C
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SSM6K781G,LF 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SSM6K781G,LF
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SSM6K781G
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 1.5V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)12V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C7A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs18m옴 @ 1.5A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs5.4nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds600pF @ 6V
전력 - 최대1.6W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-UFBGA, WLCSP
공급 장치 패키지6-WCSPC(1.5x1.0)
표준 포장 3,000
다른 이름SSM6K781G,LF(S
SSM6K781GLFTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SSM6K781G,LF
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