창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM6L09FUTE85LF | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SSM6L09FU | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | N 및 P-Chan | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 400mA, 200mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 700m옴 @ 200MA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 100µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 20pF @ 5V | |
전력 - 최대 | 300mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | US6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SSM6L09FU (TE85L,F) SSM6L09FU(TE85L,F) SSM6L09FUTE85LFTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SSM6L09FUTE85LF | |
관련 링크 | SSM6L09, SSM6L09FUTE85LF Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | VJ1808A102KBLAT4X | 1000pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808A102KBLAT4X.pdf | |
![]() | VJ0603D110FLAAP | 11pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D110FLAAP.pdf | |
![]() | MA505A103FAA | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.250" Dia x 0.500" L(6.35mm x 12.70mm) | MA505A103FAA.pdf | |
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![]() | SIT3808AI-D-25EZ | 1MHz ~ 80MHz LVCMOS, LVTTL MEMS VCXO Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 33mA Enable/Disable | SIT3808AI-D-25EZ.pdf | |
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