Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFE(T5L,F
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- SSM6N7002BFE(T5L,F
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- Toshiba Semiconductor and Storage
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- FET - 어레이
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- MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
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SSM6N7002BFE(T5L,F 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SSM6N7002BFE(T5L,F | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | SSM6N7002BFE Mosfets Prod Guide | |
| 제품 교육 모듈 | Small Signal MOSFET | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 17pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
| 공급 장치 패키지 | ES6(1.6x1.6) | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | SSM6N7002BFE(T5LFCT | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | SSM6N7002BFE(T5L,F | |
| 관련 링크 | SSM6N7002, SSM6N7002BFE(T5L,F Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor | |
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