창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM6N7002BFE,LM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SSM6N7002BFE Mosfets Prod Guide | |
제품 교육 모듈 | Small Signal MOSFET | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.1옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 17pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | ES6 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SSM6N7002BFE,LM(B SSM6N7002BFE,LM(T SSM6N7002BFELMTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SSM6N7002BFE,LM | |
관련 링크 | SSM6N70, SSM6N7002BFE,LM Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | VJ0805D681FXXAT | 680pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D681FXXAT.pdf | |
![]() | TH3B475K025E2800 | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 25V 1411 (3528 Metric) 2.8 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TH3B475K025E2800.pdf | |
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![]() | 416F26035AKR | 26MHz ±30ppm 수정 8pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26035AKR.pdf | |
![]() | ASA-64.000MHZ-L-T | 64MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 15mA Enable/Disable | ASA-64.000MHZ-L-T.pdf | |
![]() | AISC-1210H-1R2N-T | 1.2µH Unshielded Wirewound Inductor 2.1A 92 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | AISC-1210H-1R2N-T.pdf | |
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