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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFE,LM

SSM6N7002BFE,LM
제조업체 부품 번호
SSM6N7002BFE,LM
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N-CH 60V 0.2A ES6
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SSM6N7002BFE,LM 매개 변수
내부 부품 번호EIS-SSM6N7002BFE,LM
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서SSM6N7002BFE
Mosfets Prod Guide
제품 교육 모듈Small Signal MOSFET
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C200mA
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.1옴 @ 500mA, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)3.1V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs-
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds17pF @ 25V
전력 - 최대150mW
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지ES6
표준 포장 4,000
다른 이름SSM6N7002BFE,LM(B
SSM6N7002BFE,LM(T
SSM6N7002BFELMTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)SSM6N7002BFE,LM
관련 링크SSM6N70, SSM6N7002BFE,LM Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor
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