창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SSM6P35FE(TE85L,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | SSM6P35FE Mosfets Prod Guide | |
제품 교육 모듈 | Small Signal MOSFET | |
카탈로그 페이지 | 1650 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100mA | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8옴 @ 50mA, 4V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12.2pF @ 3V | |
전력 - 최대 | 150mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | ES6(1.6x1.6) | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | SSM6P35FE(TE85LF)TR SSM6P35FETE85LF | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | SSM6P35FE(TE85L,F) | |
관련 링크 | SSM6P35FE, SSM6P35FE(TE85L,F) Datasheet, Toshiba Semiconductor and Storage Distributor |
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![]() | ATS180A | 18MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ATS180A.pdf | |
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![]() | 1840R-07H | 560nH Unshielded Molded Inductor 1.67A 100 mOhm Max Axial | 1840R-07H.pdf | |
![]() | 1-1393818-5 | RELAY GEN PURP | 1-1393818-5.pdf | |
![]() | RT1206DRE0725R5L | RES SMD 25.5 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE0725R5L.pdf | |
![]() | RT0805WRE0735K7L | RES SMD 35.7KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRE0735K7L.pdf | |
![]() | RCP0505W300RJTP | RES SMD 300 OHM 5% 5W 0505 | RCP0505W300RJTP.pdf | |
![]() | TC124-FR-07121RL | RES ARRAY 4 RES 121 OHM 0804 | TC124-FR-07121RL.pdf | |
![]() | ERG-2SJ272 | RES 2.7K OHM 2W 5% AXIAL | ERG-2SJ272.pdf | |
![]() | B58600E410A23 | Pressure Sensor 145.04 PSI (1000 kPa) Absolute 0 mV ~ 130 mV (5V) Die | B58600E410A23.pdf |