창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB100NF03L-03T4 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ST(B,P)100NF03L-03(-1) | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ III | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 88nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-7929-2 STB100NF03L-03T4-ND STB100NF03L03T4 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STB100NF03L-03T4 | |
관련 링크 | STB100NF, STB100NF03L-03T4 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | AQ12EM1R4BAJWE | 1.4pF 150V 세라믹 커패시터 M 0606(1616 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | AQ12EM1R4BAJWE.pdf | |
![]() | SIT8008AI-13-33E-24.576000G | OSC XO 3.3V 24.576MHZ | SIT8008AI-13-33E-24.576000G.pdf | |
![]() | SIT9121AI-2C3-33E81.00000Y | OSC XO 3.3V 81MHZ | SIT9121AI-2C3-33E81.00000Y.pdf | |
![]() | SIT9120AI-1B2-XXE150.000000E | OSC XO 150MHZ OE | SIT9120AI-1B2-XXE150.000000E.pdf | |
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![]() | VLF252012MT-R47N | 470nH Shielded Wirewound Inductor 3.45A 29 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | VLF252012MT-R47N.pdf | |
![]() | SR0603JR-7W15KL | RES SMD 15K OHM 5% 1/5W 0603 | SR0603JR-7W15KL.pdf | |
![]() | RNCF0805BTE243K | RES SMD 243K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RNCF0805BTE243K.pdf | |
![]() | RT1206WRB07200KL | RES SMD 200K OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRB07200KL.pdf |