STMicroelectronics STB10N95K5
- 제조업체 부품 번호
- STB10N95K5
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
STB10N95K5 가격 및 조달
가능 수량
2150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 2,489.32568
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of STB10N95K5, we specialize in all series STMicroelectronics electronic components. STB10N95K5 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB10N95K5, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- STB10N95K5 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
STB10N95K5 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-STB10N95K5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | STB(F,P,W)10N95K5 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH5™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 950V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 630pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 130W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-14971-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | STB10N95K5 | |
| 관련 링크 | STB10, STB10N95K5 Datasheet, STMicroelectronics Distributor | |
STB10N95K5 의 관련 제품
 | 06031U470FAT2A | 47pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.060" L x 0.030" W(1.52mm x 0.76mm) | 06031U470FAT2A.pdf | |
 | TCJR475M010A0500 | 4.7µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 10V 0805 (2012 Metric) 500 mOhm 0.081" L x 0.051" W (2.05mm x 1.30mm) | TCJR475M010A0500.pdf | |
 | T61-C350X | GDT 400V 25% 20KA THROUGH HOLE | T61-C350X.pdf | |
 | 416F38011ALR | 38MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38011ALR.pdf | |
 | SIT5002AC-8E-33E0-100.000000T | OSC XO 3.3V 100MHZ OE | SIT5002AC-8E-33E0-100.000000T.pdf | |
 | 1N4150W-HE3-18 | DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 | 1N4150W-HE3-18.pdf | |
| VS-VSKL105/10 | MODULE DIODE 1000V 105A ADD-A-PA | VS-VSKL105/10.pdf | |
.jpg) | RT1206DRE078K45L | RES SMD 8.45K OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE078K45L.pdf | |
| RT1206WRB0746R4L | RES SMD 46.4 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRB0746R4L.pdf | |
 | PTN1206E1290BST1 | RES SMD 129 OHM 0.1% 0.4W 1206 | PTN1206E1290BST1.pdf | |
 | Y14880R00800F9R | RES SMD 0.008 OHM 1% 3W 3637 | Y14880R00800F9R.pdf | |
| AMGP-6434-BLKG | RF Amplifier IC General Purpose 28GHz ~ 31GHz | AMGP-6434-BLKG.pdf |
