STMicroelectronics STB13N60M2
- 제조업체 부품 번호
- STB13N60M2
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
STB13N60M2 가격 및 조달
가능 수량
2150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,223.16480
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of STB13N60M2, we specialize in all series STMicroelectronics electronic components. STB13N60M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB13N60M2, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- STB13N60M2 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
STB13N60M2 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-STB13N60M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | ST(B,D)13N60M2 | |
| 주요제품 | MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II Plus | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 5.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 17nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 580pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-13828-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | STB13N60M2 | |
| 관련 링크 | STB13, STB13N60M2 Datasheet, STMicroelectronics Distributor | |
STB13N60M2 의 관련 제품
 | EGPD630ELL751MU25H | 750µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can 47 mOhm 2000 Hrs @ 135°C | EGPD630ELL751MU25H.pdf | |
| MAL215852152E3 | 1500µF 80V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 234 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 105°C | MAL215852152E3.pdf | |
 | C921U330JYNDAA7317 | 33pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | C921U330JYNDAA7317.pdf | |
 | 416F25033AAT | 25MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F25033AAT.pdf | |
 | 744290473 | 47mH @ 10kHz 4 Line Common Mode Choke Surface Mount 250mA DCR 4 Ohm | 744290473.pdf | |
 | 5022-913F | 91µH Unshielded Inductor 280mA 4.3 Ohm Max 2-SMD | 5022-913F.pdf | |
 | ERJ-1GEF1653C | RES SMD 165K OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF1653C.pdf | |
| CRGH2010F562K | RES SMD 562K OHM 1% 1W 2010 | CRGH2010F562K.pdf | |
 | RG1608P-57R6-B-T5 | RES SMD 57.6 OHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608P-57R6-B-T5.pdf | |
.jpg) | RT0603CRD073K01L | RES SMD 3.01K OHM 1/10W 0603 | RT0603CRD073K01L.pdf | |
 | RN73C1E88R7BTDF | RES SMD 88.7 OHM 0.1% 1/16W 0402 | RN73C1E88R7BTDF.pdf | |
,-J-Lead.jpg) | SMW55R6JT | RES SMD 5.6 OHM 5% 5W 5329 | SMW55R6JT.pdf |
