창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB155N3LH6 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ST(B,D)155N3LH6 | |
기타 관련 문서 | STB155N3LH6 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VI | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 신제품 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 80nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-11323-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STB155N3LH6 | |
관련 링크 | STB15, STB155N3LH6 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | VJ2220Y473JBLAT4X | 0.047µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 2220(5750 미터법) 0.226" L x 0.200" W(5.74mm x 5.08mm) | VJ2220Y473JBLAT4X.pdf | |
![]() | ECW-FD2W334JQ | 0.33µF Film Capacitor 450V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.496" L x 0.220" W (12.60mm x 5.60mm) | ECW-FD2W334JQ.pdf | |
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![]() | BYV29-300HE3/45 | DIODE GEN PURP 300V 8A TO220AC | BYV29-300HE3/45.pdf | |
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![]() | RLP73M1JR056JTD | RES SMD 0.056 OHM 5% 1/8W 0603 | RLP73M1JR056JTD.pdf | |
![]() | ERA-8AEB242V | RES SMD 2.4K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB242V.pdf | |
![]() | TNPW080566R5BETA | RES SMD 66.5 OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW080566R5BETA.pdf | |
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