STMicroelectronics STB18N60DM2

STB18N60DM2
제조업체 부품 번호
STB18N60DM2
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 600V 12A
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내부 부품 번호EIS-STB18N60DM2
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서STB18N60DM2
비디오 파일STMicro's 600 V MDMesh DM2 MOSFETs | Digi-Key Daily
주요제품600 V MDMesh™ DM2 MOSFETS
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체STMicroelectronics
계열MDmesh™ DM2
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C12A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs295m옴 @ 6A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs20nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds800pF @ 100V
전력 - 최대90W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D2PAK
표준 포장 1,000
다른 이름497-16339-2
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)STB18N60DM2
관련 링크STB18, STB18N60DM2 Datasheet, STMicroelectronics Distributor
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