창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB18N60DM2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STB18N60DM2 | |
비디오 파일 | STMicro's 600 V MDMesh DM2 MOSFETs | Digi-Key Daily | |
주요제품 | 600 V MDMesh™ DM2 MOSFETS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ DM2 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 295m옴 @ 6A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 800pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 90W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-16339-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STB18N60DM2 | |
관련 링크 | STB18, STB18N60DM2 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | APT70GR65B2SCD30 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO | APT70GR65B2SCD30.pdf | |
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![]() | RT0805WRC0730KL | RES SMD 30K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRC0730KL.pdf | |
![]() | MFR-25FBF52-215R | RES 215 OHM 1/4W 1% AXIAL | MFR-25FBF52-215R.pdf | |
![]() | RSF1JB51K0 | RES MO 1W 51K OHM 5% AXIAL | RSF1JB51K0.pdf | |
![]() | Y0011226K200B9L | RES 226.2K OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y0011226K200B9L.pdf | |
![]() | E2B-M18LN16-WP-B2 5M | Inductive Proximity Sensor 0.63" (16mm) IP67 Cylinder, Threaded - M18 | E2B-M18LN16-WP-B2 5M.pdf | |
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