창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB18N60M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STx18N60M2 | |
주요제품 | MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II Plus | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 6.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 791pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-13933-2 STB18N60M2-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STB18N60M2 | |
관련 링크 | STB18, STB18N60M2 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
380LQ561M250J032 | SNAPMOUNTS | 380LQ561M250J032.pdf | ||
02016G222ZAT2A | 2200pF 6.3V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | 02016G222ZAT2A.pdf | ||
VJ0805D360FLAAC | 36pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D360FLAAC.pdf | ||
ECJ-2VC1H150J | 15pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | ECJ-2VC1H150J.pdf | ||
KTK-R-25 | FUSE CRTRDGE 25A 600VAC CYLINDR | KTK-R-25.pdf | ||
2030.0555 | FUSE BRD MNT 2.5A 125VAC/VDC RAD | 2030.0555.pdf | ||
V130LU10AP | VARISTOR 205V 4.5KA DISC 14MM | V130LU10AP.pdf | ||
MUR480-TP | DIODE GEN PURP 800V 4A DO201AD | MUR480-TP.pdf | ||
CJT100390RJJ | RES CHAS MNT 390 OHM 5% 100W | CJT100390RJJ.pdf | ||
CJT15004R7JJ | RES CHAS MNT 4.7 OHM 5% 1500W | CJT15004R7JJ.pdf | ||
RT1206BRC07261RL | RES SMD 261 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRC07261RL.pdf | ||
CMF55619K00FKR670 | RES 619K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55619K00FKR670.pdf |