STMicroelectronics STB18NM60N
- 제조업체 부품 번호
- STB18NM60N
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
STB18NM60N 가격 및 조달
가능 수량
1384 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 4,105.06400
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of STB18NM60N, we specialize in all series STMicroelectronics electronic components. STB18NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB18NM60N, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- STB18NM60N 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
STB18NM60N 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-STB18NM60N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | STx18NM60N | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 컷 테이프(CT) | |
| 부품 현황 | 단종 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 285m옴 @ 6.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | 497-10297-1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | STB18NM60N | |
| 관련 링크 | STB18, STB18NM60N Datasheet, STMicroelectronics Distributor | |
STB18NM60N 의 관련 제품
 | T550B256M100TH42510100 | 25µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 100V Axial 190 mOhm 0.279" Dia x 0.650" L (7.09mm x 16.51mm) | T550B256M100TH42510100.pdf | |
 | TL3B107K6R3C0700 | 100µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 1411 (3528 Metric) 700 mOhm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TL3B107K6R3C0700.pdf | |
 | SIT9002AC-23N18EG | 1MHz ~ 220MHz LVDS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | SIT9002AC-23N18EG.pdf | |
 | XPEWHT-L1-R250-00AE4 | LED Lighting XLamp® XP-E White, Neutral 4500K 3.05V 350mA 115° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | XPEWHT-L1-R250-00AE4.pdf | |
-MHQ-Series.jpg) | MHQ1005P2N8CTD25 | 2.8nH Unshielded Multilayer Inductor 900mA 80 mOhm Max 0402 (1006 Metric) | MHQ1005P2N8CTD25.pdf | |
 | SCIHP0730-2R5M | 2.5µH Shielded Inductor 8A 22 mOhm Max Nonstandard | SCIHP0730-2R5M.pdf | |
 | IM01TS | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Through Hole | IM01TS.pdf | |
 | RC0100FR-07768KL | RES SMD 768K OHM 1% 1/32W 01005 | RC0100FR-07768KL.pdf | |
 | ESR25JZPF1503 | RES SMD 150K OHM 1% 1/2W 1210 | ESR25JZPF1503.pdf | |
.jpg) | RP73D2B8K25BTDF | RES SMD 8.25K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B8K25BTDF.pdf | |
 | PLT0805Z2182LBTS | RES SMD 21.8KOHM 0.01% 1/4W 0805 | PLT0805Z2182LBTS.pdf | |
 | BGA2815,115 | RF Amplifier IC General Purpose 0Hz ~ 2.2GHz 6-TSSOP | BGA2815,115.pdf |
