STMicroelectronics STB19NM65N

STB19NM65N
제조업체 부품 번호
STB19NM65N
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 650V 15.5A D2PAK
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내부 부품 번호EIS-STB19NM65N
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서STx19NM65N
카탈로그 페이지 1537 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체STMicroelectronics
계열MDmesh™ II
포장컷 테이프(CT)
부품 현황단종
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)650V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C15.5A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs270m옴 @ 7.75A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs55nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1900pF @ 50V
전력 - 최대150W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D2PAK
표준 포장 1
다른 이름497-7001-1
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)STB19NM65N
관련 링크STB19, STB19NM65N Datasheet, STMicroelectronics Distributor
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