창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB19NM65N | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STx19NM65N | |
카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II | |
포장 | 컷 테이프(CT) | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 7.75A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 55nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 150W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | 497-7001-1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STB19NM65N | |
관련 링크 | STB19, STB19NM65N Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | RCP0603B27R0GED | RES SMD 27 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603B27R0GED.pdf | |
![]() | CPR0510R00JB14 | RES 10 OHM 5W 5% RADIAL | CPR0510R00JB14.pdf | |
![]() | CPSL03R0120JB145 | RES 0.012 OHM 3W 5% 4LEAD | CPSL03R0120JB145.pdf | |
![]() | L08P200D15W | Current Sensor 200A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional Module, Single Pass Through | L08P200D15W.pdf |