STMicroelectronics STB20NM50FDT4
- 제조업체 부품 번호
- STB20NM50FDT4
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
STB20NM50FDT4 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 3,450.80700
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of STB20NM50FDT4, we specialize in all series STMicroelectronics electronic components. STB20NM50FDT4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB20NM50FDT4, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- STB20NM50FDT4 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
STB20NM50FDT4 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-STB20NM50FDT4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | STx20NM50FD | |
| 기타 관련 문서 | STB20NM50FD View All Specifications | |
| 카탈로그 페이지 | 1537 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | FDmesh™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 250m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 53nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1380pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 192W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-6191-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | STB20NM50FDT4 | |
| 관련 링크 | STB20N, STB20NM50FDT4 Datasheet, STMicroelectronics Distributor | |
STB20NM50FDT4 의 관련 제품
 | SLP102M200H5P3 | 1000µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 199 mOhm 3000 Hrs @ 105°C | SLP102M200H5P3.pdf | |
 | 1206SC102KAT3A | 1000pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206SC102KAT3A.pdf | |
 | 0805ZC105KA76A | 1µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 0805ZC105KA76A.pdf | |
.jpg) | MCH185A150JK | 15pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | MCH185A150JK.pdf | |
.jpg) | 8Y-26.000MAAJ-T | 26MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 8Y-26.000MAAJ-T.pdf | |
 | 445C3XF20M00000 | 20MHz ±30ppm 수정 24pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XF20M00000.pdf | |
 | ASTMHTE-10.000MHZ-XJ-E-T3 | 10MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-10.000MHZ-XJ-E-T3.pdf | |
 | CD214C-F3600 | DIODE GEN PURP 600V 3A SMC | CD214C-F3600.pdf | |
.jpg) | RC2012J4R3CS | RES SMD 4.3 OHM 5% 1/8W 0805 | RC2012J4R3CS.pdf | |
 | CRA04P083510RJTD | RES ARRAY 4 RES 510 OHM 0804 | CRA04P083510RJTD.pdf | |
| SFR2500004704JA500 | RES 4.7M OHM 0.4W 5% AXIAL | SFR2500004704JA500.pdf | |
SOT89.jpg) | BGA6589,135 | RF Amplifier IC PCS, CDPD, Broadcast Television 0Hz ~ 3GHz SOT-89-3 | BGA6589,135.pdf |
