STMicroelectronics STB21NM50N-1

STB21NM50N-1
제조업체 부품 번호
STB21NM50N-1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK
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STB21NM50N-1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-STB21NM50N-1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서STx21NM50N(-1)
카탈로그 페이지 1538 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체STMicroelectronics
계열MDmesh™ II
포장튜브
부품 현황단종
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)500V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C18A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs190m옴 @ 9A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs65nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1950pF @ 25V
전력 - 최대140W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA
공급 장치 패키지I2PAK
표준 포장 50
다른 이름497-5727
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)STB21NM50N-1
관련 링크STB21N, STB21NM50N-1 Datasheet, STMicroelectronics Distributor
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