창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB25NM50N-1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STx25NM50N | |
카탈로그 페이지 | 1538 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ II | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 84nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2565pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 160W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA | |
공급 장치 패키지 | I2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-5729 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STB25NM50N-1 | |
관련 링크 | STB25N, STB25NM50N-1 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | CJT20082RJJ | RES CHAS MNT 82 OHM 5% 200W | CJT20082RJJ.pdf | |
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SBCHE1568RJ | RES 68.0 OHM 17W 5% AXIAL | SBCHE1568RJ.pdf | ||
![]() | RR01J180RTB | RES 180 OHM 1W 5% AXIAL | RR01J180RTB.pdf | |
![]() | CMF55649K00FKEB | RES 649K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55649K00FKEB.pdf | |
![]() | RNF14BAE12K7 | RES 12.7K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BAE12K7.pdf |