STMicroelectronics STB26NM60N
- 제조업체 부품 번호
- STB26NM60N
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
STB26NM60N 가격 및 조달
가능 수량
2150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 3,424.86144
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of STB26NM60N, we specialize in all series STMicroelectronics electronic components. STB26NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB26NM60N, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- STB26NM60N 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
STB26NM60N 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-STB26NM60N | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | STB,F,P26NM60N | |
| 기타 관련 문서 | STB26NM60N View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 165m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 60nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 140W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-10985-2 STB26NM60N-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | STB26NM60N | |
| 관련 링크 | STB26, STB26NM60N Datasheet, STMicroelectronics Distributor | |
STB26NM60N 의 관련 제품
 | AQ147M1R7CAJME | 1.7pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | AQ147M1R7CAJME.pdf | |
.85mm.jpg) | GRM219R71C564KC01D | 0.56µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | GRM219R71C564KC01D.pdf | |
 | BFC237326394 | 0.39µF Film Capacitor 63V 100V Polyester, Metallized Radial 0.689" L x 0.197" W (17.50mm x 5.00mm) | BFC237326394.pdf | |
 | T58MM226M6R3C0300 | 22µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 6.3V 0603 (1608 Metric) 300 mOhm 0.063" L x 0.033" W (1.60mm x 0.85mm) | T58MM226M6R3C0300.pdf | |
 | TR1/6125TD3.5-R | FUSE BOARD MNT 3.5A 125VAC 60VDC | TR1/6125TD3.5-R.pdf | |
 | ABC2-20.000MHZ-4-T | 20MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABC2-20.000MHZ-4-T.pdf | |
| R7222407CSOO | DIODE MODULE 2.4KV 700A DO200AB | R7222407CSOO.pdf | |
 | EDZTE6136B | DIODE ZENER 36V 150MW EMD2 | EDZTE6136B.pdf | |
 | FDB2572 | MOSFET N-CH 150V 29A TO-263AB | FDB2572.pdf | |
 | RGTH40TS65GC11 | IGBT 650V 40A 144W TO-247N | RGTH40TS65GC11.pdf | |
 | CLF10040T-330M-CA | 33µH Shielded Wirewound Inductor 1.7A 96 mOhm Max Nonstandard | CLF10040T-330M-CA.pdf | |
 | PE0805FRF070R47L | RES SMD 0.47 OHM 1% 1/8W 0805 | PE0805FRF070R47L.pdf |
