창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB80NF55-08T4 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STx80NF55-08(T4) | |
기타 관련 문서 | STB80NF55-08T4 View All Specifications | |
제품 교육 모듈 | Automotive Grade Transistors and Discretes | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1536 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 55V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 155nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3850pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D2PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-3737-2 STB80NF5508T4 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STB80NF55-08T4 | |
관련 링크 | STB80NF, STB80NF55-08T4 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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![]() | FA28NP01H271JNU06 | 270pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FA28NP01H271JNU06.pdf | |
![]() | VJ0805Y103KXCMC | 10000pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805Y103KXCMC.pdf | |
![]() | VJ0603D110FXAAJ | 11pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D110FXAAJ.pdf | |
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![]() | DSC1124CI2-200.0000T | 200MHz HCSL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 42mA Enable/Disable | DSC1124CI2-200.0000T.pdf | |
![]() | UH5JT-E3/4W | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC | UH5JT-E3/4W.pdf | |
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