STMicroelectronics STB95N4F3
- 제조업체 부품 번호
- STB95N4F3
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
STB95N4F3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of STB95N4F3, we specialize in all series STMicroelectronics electronic components. STB95N4F3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB95N4F3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- STB95N4F3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
STB95N4F3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-STB95N4F3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | ST(B,D,P)95N4F3 | |
| 기타 관련 문서 | STB95N4F3 View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | STripFET™ III | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.8m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 54nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 110W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 공급 장치 패키지 | D²PAK | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 497-12427-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | STB95N4F3 | |
| 관련 링크 | STB9, STB95N4F3 Datasheet, STMicroelectronics Distributor | |
STB95N4F3 의 관련 제품
 | C1210C391M2GACTU | 390pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C1210C391M2GACTU.pdf | |
 | BFC238341134 | 0.13µF Film Capacitor 500V 1400V (1.4kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.220" L x 0.709" W (31.00mm x 18.00mm) | BFC238341134.pdf | |
 | F950G107KQAAQ2 | 100µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 4V 1206 (3216 Metric) 1 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | F950G107KQAAQ2.pdf | |
 | P6KE180-B | TVS DIODE 154VWM 258.3VC AXIAL | P6KE180-B.pdf | |
 | ATS12A | 12MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ATS12A.pdf | |
 | GDZ3V3B-HE3-18 | DIODE ZENER 3.3V 200MW SOD323 | GDZ3V3B-HE3-18.pdf | |
 | 2SD2657KT146 | TRANS NPN 30V 1.5A SOT-346 | 2SD2657KT146.pdf | |
.jpg) | MLF1608DR10JT000 | 100nH Shielded Multilayer Inductor 200mA 350 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | MLF1608DR10JT000.pdf | |
 | SCH114-391 | 390µH Unshielded Wirewound Inductor 620mA 1.3 Ohm Max Nonstandard | SCH114-391.pdf | |
.jpg) | RT0805CRE0713RL | RES SMD 13 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRE0713RL.pdf | |
| ERJ-L1DUF69MU | RES SMD 0.069 OHM 1% 1/2W 2010 | ERJ-L1DUF69MU.pdf | |
| CMF7030K100FKR6 | RES 30.1K OHM 1.75W 1% AXIAL | CMF7030K100FKR6.pdf |
