창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STB95N4F3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | ST(B,D,P)95N4F3 | |
기타 관련 문서 | STB95N4F3 View All Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | STripFET™ III | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.8m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 54nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 110W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
공급 장치 패키지 | D²PAK | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 497-12427-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STB95N4F3 | |
관련 링크 | STB9, STB95N4F3 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
865080345012 | 220µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 105°C | 865080345012.pdf | ||
VJ0805D510MXBAJ | 51pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D510MXBAJ.pdf | ||
CDS19FD561FO3 | MICA | CDS19FD561FO3.pdf | ||
TR/3216TD12-R | FUSE BRD MNT 12A 32VAC/VDC 1206 | TR/3216TD12-R.pdf | ||
84WR1KLF | 1k Ohm 0.25W, 1/4W Surface Mount Surface Mount Trimmer Potentiometer Cermet 12 Turn Top Adjustment | 84WR1KLF.pdf | ||
RT0603DRE0771R5L | RES SMD 71.5 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRE0771R5L.pdf | ||
CRCW121024K0FKEA | RES SMD 24K OHM 1% 1/2W 1210 | CRCW121024K0FKEA.pdf | ||
RT0402BRD0762K6L | RES SMD 62.6KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RT0402BRD0762K6L.pdf | ||
CRM2512-JW-150ELF | RES SMD 15 OHM 5% 2W 2512 | CRM2512-JW-150ELF.pdf | ||
RG3216V-2870-W-T1 | RES SMD 287 OHM 0.05% 1/4W 1206 | RG3216V-2870-W-T1.pdf | ||
SFR16S0001370FR500 | RES 137 OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR16S0001370FR500.pdf | ||
RSF2GB560R | RES MO 2W 560 OHM 2% AXIAL | RSF2GB560R.pdf |