STMicroelectronics STD11N65M2
- 제조업체 부품 번호
- STD11N65M2
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 650V 7A DPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
STD11N65M2 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 982.97971
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of STD11N65M2, we specialize in all series STMicroelectronics electronic components. STD11N65M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD11N65M2, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- STD11N65M2 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
STD11N65M2 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-STD11N65M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | ST(D, P, U)11N65M2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II Plus | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 670m옴 @ 3.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 410pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 85W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | DPAK | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 497-15048-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | STD11N65M2 | |
| 관련 링크 | STD11, STD11N65M2 Datasheet, STMicroelectronics Distributor | |
STD11N65M2 의 관련 제품
 | PD0100WJ25138BH1 | 250pF 14000V(14kV) 세라믹 커패시터 R42 디스크, 금속 피팅 - 스레딩 3.937" Dia(100.00mm) | PD0100WJ25138BH1.pdf | |
 | 595D475X0010T4T | 4.7µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 10V 0805 (2012 Metric) 8.6 Ohm 0.087" L x 0.043" W (2.20mm x 1.10mm) | 595D475X0010T4T.pdf | |
 | 416F30013CLT | 30MHz ±10ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30013CLT.pdf | |
| SIT9120AC-1D2-33E150.000000Y | OSC XO 3.3V 150MHZ OE | SIT9120AC-1D2-33E150.000000Y.pdf | |
 | IMC1210BN56NJ | 56nH Unshielded Wirewound Inductor 470mA 330 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210BN56NJ.pdf | |
 | SWS-1.48-26 | 26µH Unshielded Toroidal Inductor 1.48A 100 mOhm Nonstandard | SWS-1.48-26.pdf | |
 | 5962-8876904KPA | Logic Output Optoisolator 5MBd Push-Pull, Totem Pole 1500VDC 2 Channel 1kV/µs CMTI 8-DIP | 5962-8876904KPA.pdf | |
.jpg) | RT2010DKE0733K2L | RES SMD 33.2K OHM 0.5% 1/2W 2010 | RT2010DKE0733K2L.pdf | |
 | 4309R-101-471LF | RES ARRAY 8 RES 470 OHM 9SIP | 4309R-101-471LF.pdf | |
 | 767143182GP | RES ARRAY 7 RES 1.8K OHM 14SOIC | 767143182GP.pdf | |
| RR02J3R0TB | RES 3.0 OHM 2W 5% AXIAL | RR02J3R0TB.pdf | |
 | PE42451MLIAA-Z | RF Switch IC General Purpose SP5T 4GHz 50 Ohm 24-QFN (4x4) | PE42451MLIAA-Z.pdf |
