STMicroelectronics STD19N3LLH6AG

STD19N3LLH6AG
제조업체 부품 번호
STD19N3LLH6AG
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 30V 10A DPAK
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STD19N3LLH6AG 매개 변수
내부 부품 번호EIS-STD19N3LLH6AG
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서Spice Model Tutorial for Power MOSFETS
STD19N3LLH6AG Datasheet
애플리케이션 노트AN3267 Appl Note
AN4191 Appl Note
The Avalanche Issue
AN1506 Appl Note
AN4192 Appl Note
설계 리소스STD19N3LLH6AG Pspice Model
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체STMicroelectronics
계열STripFET™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C10A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs33m옴 @ 5A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs3.7nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds321pF @ 25V
전력 - 최대30W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63
공급 장치 패키지DPAK
표준 포장 2,500
다른 이름497-16512-2
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)STD19N3LLH6AG
관련 링크STD19N, STD19N3LLH6AG Datasheet, STMicroelectronics Distributor
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