STMicroelectronics STD3NK60Z-1

STD3NK60Z-1
제조업체 부품 번호
STD3NK60Z-1
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
Datesheet 다운로드
다운로드
STD3NK60Z-1 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 417.42033
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of STD3NK60Z-1, we specialize in all series STMicroelectronics electronic components. STD3NK60Z-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STD3NK60Z-1, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
STD3NK60Z-1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
STD3NK60Z-1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-STD3NK60Z-1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서STx3NK60Z(-1,FP)
기타 관련 문서STD3NK60Z-1 View All Specifications
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체STMicroelectronics
계열SuperMESH™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)600V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C2.4A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.6옴 @ 1.2A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 50µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs11.8nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds311pF @ 25V
전력 - 최대45W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA
공급 장치 패키지I-Pak
표준 포장 75
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)STD3NK60Z-1
관련 링크STD3N, STD3NK60Z-1 Datasheet, STMicroelectronics Distributor
STD3NK60Z-1 의 관련 제품
1800µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 47.6 mOhm @ 120Hz 1000 Hrs @ 85°C CGH182T450V5L.pdf
2000pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 Z5U 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) S202M29Z5UN63L6R.pdf
0.015µF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.335" W (17.50mm x 8.50mm) MKP385315200JFP2B0.pdf
TVS DIODE 22VWM 39.4VC DO202AA LC22.pdf
24MHz ±20ppm 수정 10pF 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD 445W25A24M00000.pdf
37MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F37022CLT.pdf
33.333MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 13mA Enable/Disable ECS-2333-333.3-BN-TR.pdf
37.5MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable TD-37.500MBD-T.pdf
2.2µH Shielded Molded Inductor 8.1A 18.3 mOhm Max Nonstandard IHLP2525CZER2R2M8A.pdf
680µH Unshielded Wirewound Inductor 120mA 9.2 Ohm Max Nonstandard SDE6603-681M.pdf
RES CHAS MNT 680 OHM 5% 500W CJT500680RJJ.pdf
RES SMD 3.57K OHM 0.1% 3/8W 0603 PHP00603E3571BST1.pdf