창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STD9HN65M2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STD9HN65M2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | MDmesh™ M2 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 820m옴 @ 2.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 325pF @ 100V | |
전력 - 최대 | 60W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
공급 장치 패키지 | DPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 497-16036-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STD9HN65M2 | |
관련 링크 | STD9H, STD9HN65M2 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
VJ0603D2R7BLCAJ | 2.7pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D2R7BLCAJ.pdf | ||
134D567X9060K6 | 560µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 60V Axial 800 mOhm 0.390" Dia x 1.062" L (9.91mm x 26.97mm) | 134D567X9060K6.pdf | ||
SL1011A350C | GDT 350V 5KA | SL1011A350C.pdf | ||
F1892CCD600 | DIODE MODULE 600V 90A | F1892CCD600.pdf | ||
FDMA7630 | MOSFET N-CH 30V 6-MICROFET | FDMA7630.pdf | ||
AISC-1812H-331K-T | 330µH Unshielded Wirewound Inductor 100mA 7.75 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | AISC-1812H-331K-T.pdf | ||
3635BR60PT | 600nH Shielded Wirewound Inductor 28A 2.5 mOhm Max Nonstandard | 3635BR60PT.pdf | ||
RT1206DRD071M5L | RES SMD 1.5M OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRD071M5L.pdf | ||
RT0805CRC073K4L | RES SMD 3.4K OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRC073K4L.pdf | ||
ERJ-S1DF2212U | RES SMD 22.1K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF2212U.pdf | ||
RP73D2B57K6BTDF | RES SMD 57.6K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B57K6BTDF.pdf | ||
NCP1012ST65T3G | Converter Offline Flyback Topology 65kHz SOT-223 | NCP1012ST65T3G.pdf |