STMicroelectronics STF10N62K3
- 제조업체 부품 번호
- STF10N62K3
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 620V 8.4A TO-220FP
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
STF10N62K3 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,168.06100
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of STF10N62K3, we specialize in all series STMicroelectronics electronic components. STF10N62K3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STF10N62K3, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- STF10N62K3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
STF10N62K3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-STF10N62K3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | STx(x)10N62K3 | |
| 기타 관련 문서 | STF10N62K3 View All Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | SuperMESH3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 620V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8.4A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 750m옴 @ 4A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 100µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1250pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 30W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | STF10N62K3 | |
| 관련 링크 | STF10, STF10N62K3 Datasheet, STMicroelectronics Distributor | |
STF10N62K3 의 관련 제품
 | ELXY350ELL122MK35S | 1200µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 7000 Hrs @ 105°C | ELXY350ELL122MK35S.pdf | |
.jpg) | C0805C105M8RACTU | 1µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C105M8RACTU.pdf | |
-25.jpg) | C3225CH2E153K200AA | 0.015µF 250V 세라믹 커패시터 CH 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C3225CH2E153K200AA.pdf | |
 | CSM1Z-A5B2C3-120-6.0D18 | 6MHz ±30ppm 수정 18pF 120옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC-49S | CSM1Z-A5B2C3-120-6.0D18.pdf | |
 | SIT9001AC-24-18E1-48.00000T | OSC XO 1.8V 48MHZ OE 1.0% | SIT9001AC-24-18E1-48.00000T.pdf | |
| 2500R-20J | 680µH Unshielded Molded Inductor 97mA 13.7 Ohm Max Axial | 2500R-20J.pdf | |
.jpg) | KTR25JZPF3004 | RES SMD 3M OHM 1% 1/3W 1210 | KTR25JZPF3004.pdf | |
 | CPF-A-0402B200RE | RES SMD 200 OHM 0.1% 1/16W 0402 | CPF-A-0402B200RE.pdf | |
 | RCP1206B1K10JEA | RES SMD 1.1K OHM 5% 11W 1206 | RCP1206B1K10JEA.pdf | |
 | RCP0603W62R0GTP | RES SMD 62 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603W62R0GTP.pdf | |
 | Y14730R00300B9W | RES SMD 0.003 OHM 0.1% 3W 3637 | Y14730R00300B9W.pdf | |
 | E-TA2012 T 7DB N4 | RF Attenuator 7dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 7DB N4.pdf |
