STMicroelectronics STF12N50M2
- 제조업체 부품 번호
- STF12N50M2
- 제조업 자
- STMicroelectronics
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
STF12N50M2 가격 및 조달
가능 수량
2101 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 1,433.20300
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of STF12N50M2, we specialize in all series STMicroelectronics electronic components. STF12N50M2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STF12N50M2, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- STF12N50M2 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
STF12N50M2 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-STF12N50M2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | STF12N50M2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | STMicroelectronics | |
| 계열 | MDmesh™ II Plus | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 380m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 560pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 85W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 497-15268-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | STF12N50M2 | |
| 관련 링크 | STF12, STF12N50M2 Datasheet, STMicroelectronics Distributor | |
STF12N50M2 의 관련 제품
-14.jpg) | C3216CH2A103J115AA | 10000pF 100V 세라믹 커패시터 CH 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C3216CH2A103J115AA.pdf | |
 | K273M20X7RH53H5 | 0.027µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | K273M20X7RH53H5.pdf | |
 | SCRN239R-F | 20µF Film Capacitor 1000Vpk (1KVPK) Paper, Metallized Radial, Can 4.560" L x 2.840" W (115.82mm x 72.14mm), Lip | SCRN239R-F.pdf | |
 | 402F16022IDR | 16MHz ±20ppm 수정 18pF 300옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F16022IDR.pdf | |
 | SIT8008AI-83-33E-25.000000Y | OSC XO 3.3V 25MHZ OE | SIT8008AI-83-33E-25.000000Y.pdf | |
| 1N4007 TR | DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41 | 1N4007 TR.pdf | |
 | SDE1006A-470K | 47µH Unshielded Wirewound Inductor 1.8A 170 mOhm Max Nonstandard | SDE1006A-470K.pdf | |
 | SP1210R-562K | 5.6µH Shielded Wirewound Inductor 606mA 570 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | SP1210R-562K.pdf | |
 | RG3216V-2940-P-T1 | RES SMD 294 OHM 0.02% 1/4W 1206 | RG3216V-2940-P-T1.pdf | |
 | PEC12R-4017F-N0024 | ENCODER ROTARY | PEC12R-4017F-N0024.pdf | |
| HEDS-9720#L54 | ENCODER SMALL 2CH 120LPI TABLESS | HEDS-9720#L54.pdf | |
 | 59135-1-V-01-E | Magnetic Reed Switch Magnet SPST-NO Wire Leads with Connector Probe | 59135-1-V-01-E.pdf |
