창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-STF30N10F7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | STx30N10F7 | |
제품 교육 모듈 | Low Voltage Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | STMicroelectronics | |
계열 | DeepGATE™, STripFET™ VII | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 16A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1270pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 25W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 497-14554-5 STF30N10F7-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | STF30N10F7 | |
관련 링크 | STF30, STF30N10F7 Datasheet, STMicroelectronics Distributor |
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AV-41.600MAHQ-T | 41.6MHz ±30ppm 수정 10pF 60옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | AV-41.600MAHQ-T.pdf | ||
![]() | 445C25C14M31818 | 14.31818MHz ±20ppm 수정 16pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C25C14M31818.pdf | |
![]() | SMUN5212T1G | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3 | SMUN5212T1G.pdf | |
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![]() | Y00886K98000T0L | RES 6.98K OHM 0.6W .01% RADIAL | Y00886K98000T0L.pdf | |
![]() | P51-1000-A-A-I36-4.5V-000-000 | Pressure Sensor 1000 PSI (6894.76 kPa) Absolute Male - 1/4" (6.35mm) NPT 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-1000-A-A-I36-4.5V-000-000.pdf |