STMicroelectronics STH175N4F6-2AG

STH175N4F6-2AG
제조업체 부품 번호
STH175N4F6-2AG
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 40V 120A H2PAK-2
Datesheet 다운로드
다운로드
STH175N4F6-2AG 가격 및 조달

가능 수량

2150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 907.36588
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of STH175N4F6-2AG, we specialize in all series STMicroelectronics electronic components. STH175N4F6-2AG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STH175N4F6-2AG, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
STH175N4F6-2AG 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
STH175N4F6-2AG 매개 변수
내부 부품 번호EIS-STH175N4F6-2AG
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서STH175N4F6-2AG/6AG
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체STMicroelectronics
계열자동차, AEC-Q101, STripFET™ F6
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)40V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C120A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.4m옴 @ 60A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)4.5V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs130nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds7735pF @ 20V
전력 - 최대150W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드 + 탭) 변형
공급 장치 패키지H2Pak-2
표준 포장 1,000
다른 이름497-15467-2
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)STH175N4F6-2AG
관련 링크STH175N, STH175N4F6-2AG Datasheet, STMicroelectronics Distributor
STH175N4F6-2AG 의 관련 제품
1000pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.142" L x 0.091" W(3.60mm x 2.30mm) K102M10X7RH53H5.pdf
100pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) K101M15X7RK5TL2.pdf
6pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) GQM1555C2D6R0CB01D.pdf
10000pF 250V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) VJ1812Y103KBPAT4X.pdf
27pF 500V 세라믹 커패시터 A 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) SQCB7A270GATME.pdf
TRANS NPN DARL 60V 4A TO126 MJE800STU.pdf
10k Ohm 0.25W, 1/4W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Wirewound 11 Turn Top Adjustment 3260W-1-103.pdf
3.3nH Unshielded Wirewound Inductor 800mA 80 mOhm Max 0402 (1005 Metric) S0402-3N3G1D.pdf
RES SMD 3.3K OHM 5% 1/2W 1210 ERJ-P14J332U.pdf
RES SMD 26.1 OHM 1% 1/2W 2010 RT2010FKE0726R1L.pdf
RES SMD 4.59KOHM 0.01% 0.4W 1206 PLT1206Z4591LBTS.pdf
RES 649K OHM 0.6W 1% AXIAL MBB02070C6493FCT00.pdf